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碳方程新材料公司在CVD長(zhǎng)晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)工藝研發(fā)上取得了突破性的進(jìn)展,以“設(shè)備+工藝”為方針,相互引導(dǎo),相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍(lán)圖。

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MPCVD 設(shè)備-碳方程

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碳方程

TFC-6650C

TFC-6650C,微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備是最先進(jìn)的 CVD 系統(tǒng)。針對(duì)用戶的具體要求設(shè)計(jì)和研制的一臺(tái)多用途、高穩(wěn)定中等壓強(qiáng)微波等離子體綜合設(shè)備。它具有智能化生長(zhǎng)、性能先進(jìn)、功能完 善、結(jié)構(gòu)合理,使用方便、安全可靠、外形美觀等特點(diǎn),特別適合應(yīng)用于單晶和多晶金剛石膜、類金剛膜的化學(xué)汽相沉積;材料表面處理和改性;低溫氧化物的生長(zhǎng)等領(lǐng)域。


6650C特性.jpg

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