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碳方程新材料公司在CVD長晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實驗室生長工藝研發(fā)上取得了突破性的進展,以“設(shè)備+工藝”為方針,相互引導(dǎo),相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍圖。

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碳方程

鉆石晶體

運用化學氣相沉積法以片狀的鉆石作為種子,利用微波的方式讓鉆石可以在高溫低壓的環(huán)境生長,在高達1200℃等離子反應(yīng)器中加入碳原子,原子就能一個接一個地附著在一塊薄薄的鉆石晶體上,逐漸‘長大’成為大的培育鉆石,有價格低、環(huán)保、可定制的優(yōu)勢。培育鉆石和天然鉆石一樣,都是純碳結(jié)晶體,甚至擁有和天然鉆石一樣的光學性質(zhì)、硬度和折射率等。

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