全球競逐金剛石半導體
- 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
- 類別:行業(yè)新聞
- 更新時間:2025-02-14 11:25:29
- 瀏覽量:21人閱讀
近幾年來,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)已經(jīng)成功登上了半導體材料的舞臺,憑借其卓越的節(jié)能和小型化優(yōu)勢,掀起了一場技術革新。然而,如果說它們是“明日之星”,那么金剛石半導體材料無疑將成為未來的王者,因為金剛石的硬度、聲速、熱導率、楊氏模量等物理特性在所有材料中都首屈一指。
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