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碳方程新材料公司在CVD長晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實(shí)驗(yàn)室生長工藝研發(fā)上取得了突破性的進(jìn)展,以“設(shè)備+工藝”為方針,相互引導(dǎo),相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍(lán)圖。

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突破!高質(zhì)量多晶金剛石,引領(lǐng)散熱材料新紀(jì)元

  • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
  • 類別:行業(yè)新聞
  • 更新時(shí)間:2025-02-08 15:05:34
  • 瀏覽量:95人閱讀

金剛石,作為自然界已知最堅(jiān)硬的材料,一直被譽(yù)為“材料之王”。而隨著電子器件越來越小、功率越來越高,散熱成為制約性能的“頭號(hào)難題”。傳統(tǒng)材料(如銅、硅)熱導(dǎo)率有限,而金剛石的熱導(dǎo)率是銅的 5倍以上,堪稱“散熱王者”!但天然金剛石儲(chǔ)量稀少,價(jià)格昂貴,難以滿足工業(yè)需求。同時(shí)大尺寸高導(dǎo)熱金剛石制備成本高、工藝復(fù)雜,那如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)?

多晶金剛石散熱片的制備工藝

哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù),在真空環(huán)境中通過微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮?dú)猓?,讓碳原子在硅襯底上“生長”成金剛石。

關(guān)鍵突破

甲烷濃度:降低甲烷比例(從8%降至5%),減少雜質(zhì)碳沉積,提升晶體質(zhì)量。

生長溫度:提高溫度(930~950℃),促進(jìn)晶粒橫向擴(kuò)展,讓結(jié)構(gòu)更致密。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:高熱導(dǎo)率+低翹曲

團(tuán)隊(duì)制備了5組樣品(S1-S5),發(fā)現(xiàn):

最優(yōu)性能:樣品S3(甲烷5%,溫度930℃)熱導(dǎo)率高達(dá) 1208 W/(m·K),翹曲值僅37微米,遠(yuǎn)超國際同類產(chǎn)品(如Element Six的1000-2200 W/(m·K))。

速度與質(zhì)量的平衡:雖然降低甲烷會(huì)減緩生長速率(5.8 μm/h),但熱導(dǎo)率顯著提升,且翹曲更小,后期加工更容易。

通過X射線衍射和拉曼光譜分析發(fā)現(xiàn):

<111>晶面主導(dǎo):晶體排列更規(guī)整,減少晶界缺陷。

低甲烷+高溫:抑制非晶碳生成,晶粒尺寸更大,熱傳導(dǎo)路徑更暢通。

與國外領(lǐng)先企業(yè)Element Six和Sumitomo Electric Industries相比,本研究通過優(yōu)化工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)了熱導(dǎo)率超過1200 W/(m·K)的多晶金剛石散熱片的制備,同時(shí)保證了較高的生長速率(5.8微米/小時(shí))和較低的翹曲值(37微米)。通過后續(xù)工藝改進(jìn),有望實(shí)現(xiàn)更高速率下高導(dǎo)熱金剛石散熱片的制備,從而有效降低其生產(chǎn)成本。

這一突破性進(jìn)展,不僅為多晶金剛石的研究和應(yīng)用開辟了新路徑,也讓 MPCVD 技術(shù)再次成為行業(yè)焦點(diǎn)。

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50200A MPCVD設(shè)備

在MPCVD 技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展中,碳方程的最新產(chǎn)品 ——50200A MPCVD 設(shè)備,憑借著卓越的性能和領(lǐng)先的技術(shù),為多晶金剛石的生長提供了更強(qiáng)大、更高效的解決方案。

碳方程50200A MPCVD設(shè)備在生長多晶產(chǎn)品方面優(yōu)勢(shì)顯著,設(shè)備采用915MHZ的微波頻率,單爐可生產(chǎn)8英寸多晶產(chǎn)品,若用于生產(chǎn)單晶金剛石,單爐能夠穩(wěn)定產(chǎn)出多達(dá) 489 片尺寸為 7*7mm 的單晶金剛石。設(shè)備運(yùn)行功率方面,采用50KW大功率裝置,更大尺寸的多晶產(chǎn)品意味著更高的生產(chǎn)效率和更低的單位成本,能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。同時(shí),我們的設(shè)備在技術(shù)方面也有著諸多創(chuàng)新和突破,確保了產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定性。有效降低生產(chǎn)成本,提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力。

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未來應(yīng)用前景

多晶金剛石散熱片在以下領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景:

高性能電子器件散熱:多晶金剛石散熱片可廣泛應(yīng)用于高功率電子器件(如5G基站、激光器、功率放大器等),解決散熱瓶頸,提升器件性能和壽命。

半導(dǎo)體行業(yè):在集成電路、CPU、GPU等芯片中,多晶金剛石可作為高效散熱材料,滿足微型化、高功率化的發(fā)展需求。

5G/6G通信:用于射頻器件和功率放大器的散熱。

新能源汽車:用于電動(dòng)汽車的功率模塊(如IGBT)散熱,提高能源利用效率,延長電池壽命。

航空航天領(lǐng)域:在高溫、高功率密度的航空航天電子設(shè)備中,多晶金剛石散熱片可提供優(yōu)異的散熱性能,保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

LED照明:用于高亮度LED的散熱基板,降低工作溫度,提高發(fā)光效率和壽命。

通過不斷優(yōu)化制備工藝,多晶金剛石散熱片有望成為未來高效散熱解決方案的重要組成部分,為電子器件的性能提升提供強(qiáng)有力的支持。

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