光學級金剛石材料的合成及其光學特性研究進展
- 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
- 類別:行業(yè)新聞
- 更新時間:2025-06-13 16:29:34
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金剛石因其獨特的碳原子四面體排列結(jié)構(gòu)賦予其優(yōu)異的力學、電學、熱導、聲學及化學穩(wěn)定性。在光學性能方面,金剛石的寬光譜透過范圍和獨特的非線性光學特性使其備受關(guān)注。然而,天然金剛石的開采成本高、尺寸受限且雜質(zhì)含量不可控,限制了其應用空間,自20世紀中葉以來,科研界致力于開發(fā)大尺寸、高純度的光學級金剛石晶體,其核心挑戰(zhàn)在于精準調(diào)控晶體缺陷密度與雜質(zhì)含量。
光學級金剛石展現(xiàn)出極寬光譜透過特性,盡管在2.6-6.2 μm波段存在微量紅外晶格吸收損耗,但在227 nm(對應5.47 eV光子能量)以上的紫外至遠紅外波段均保持卓越的高透射性能。該材料獨特的晶體結(jié)構(gòu)賦予其1332.3 cm?1的已知最大拉曼頻移值,在室溫條件下可實現(xiàn)僅約1.5 cm?1的超窄拉曼增益線寬。特別值得注意的是,當泵浦光偏振方向與金剛石晶體<111>晶軸平行時,能可實現(xiàn)最大拉曼增益系數(shù)的線偏振拉曼光。金剛石還擁有高布里淵增益系數(shù)和大布里淵頻移,展現(xiàn)出作為布里淵增益介質(zhì)的獨特優(yōu)勢。表1總結(jié)了金剛石優(yōu)異的光學性質(zhì)。

具有低雙折射水平和低吸收系數(shù)的光學級金剛石晶體有著更為出色的光學性能。圖1為兩個具有不同雙折射水平的化學氣相沉積(CVD)金剛石樣品雙折射顯微照片。雙折射水平和吸收系數(shù)主要受位錯密度和雜質(zhì)含量影響。近年來,減少位錯的方法主要集中在如何增強位錯反應(增加外延膜厚度,離軸襯底生長)和去除位錯(外延橫向生長,圖案成核生長)。而雜質(zhì)含量主要受氣體純度、腔室潔凈度和漏率控制。在保持高純度的氣源和沉積環(huán)境條件下,優(yōu)化生長參數(shù)可有效降低雜質(zhì)含量。

高溫高壓法與化學氣相沉積(CVD)技術(shù)合成的金剛石晶體因表面粗糙度較高,直接限制了其在精密領(lǐng)域的工程化應用,必須通過納米級精密拋光工藝實現(xiàn)表面形貌優(yōu)化。特別在光學器件領(lǐng)域,采用鍍制增透膜層與構(gòu)建亞波長量級減反射微納結(jié)構(gòu)的復合加工方案,可有效抑制界面菲涅爾反射效應引發(fā)的光能損耗,顯著提升金剛石光學元件在全波段范圍內(nèi)的透射性能。這種表面功能化處理技術(shù)已成為拓展金剛石材料光學應用邊界的關(guān)鍵制約因素,其工藝成熟度直接決定了光學級金剛石從實驗室制備到產(chǎn)業(yè)化應用的轉(zhuǎn)化效能。圖2展示了金剛石從生長、加工到最終應用的整個流程。

在本篇綜述論文中,作者全面梳理了光學級金剛石的特性,介紹和比較了金剛石晶體不同合成方法,并著重探討了位錯密度和雜質(zhì)含量對于其光學性能的影響。文章還介紹了金剛石加工工藝,通過拋光、鍍膜、微結(jié)構(gòu)加工和色心制備,金剛石晶體將邁向更加成熟的應用,滿足極端條件下不同光學應用需求。隨著合成技術(shù)的不斷進步,未來有望實現(xiàn)更大尺寸、更高純度的金剛石晶體的制備,這不僅將推動材料科學的進一步發(fā)展,還將極大地拓展光學級金剛石在激光技術(shù)、量子光學等領(lǐng)域的應用范圍,為光學技術(shù)的創(chuàng)新和突破開辟新的道路。
相關(guān)成果以"Optical-grade diamond: characteristics, synthesis, and recent research progress"為題發(fā)表于Functional Diamond期刊,為光學材料領(lǐng)域提供了重要技術(shù)參考。
關(guān)于碳方程
碳方程,主要從事第三、四代半導體材料專用設備的研發(fā)與制造,其核心業(yè)務為金剛石半導體材料所需的MPCVD長晶設備的研發(fā)與生產(chǎn)。公司致力于完善金剛石大尺寸材料的加工工藝及相關(guān)配套設備,旨在實現(xiàn)核心設備的自主化與產(chǎn)業(yè)化,以推動整個行業(yè)的快速發(fā)展。

截止目前,公司已成功研發(fā)出6KW/10KW/15KW等MPCVD長晶設備并大批量應用于金剛石行業(yè),與此同時,公司在技術(shù)創(chuàng)新上持續(xù)深耕,2024年已順利推出915MHZ MPCVD設備,并小批量出貨。
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