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碳方程新材料公司在CVD長晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實驗室生長工藝研發(fā)上取得了突破性的進(jìn)展,以“設(shè)備+工藝”為方針,相互引導(dǎo),相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍(lán)圖。

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鉆石:終極半導(dǎo)體與散熱革命,開啟AI與高科技新時代的鑰匙

  • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
  • 類別:行業(yè)新聞
  • 更新時間:2024-12-13 15:50:12
  • 瀏覽量:30人閱讀

鉆石:“終極”半導(dǎo)體材料,“六邊形戰(zhàn)士


隨著半導(dǎo)體遵循著摩爾定律納米制程進(jìn)步、TDP(熱設(shè)計功耗)上升,芯片熱流密度變得越來越高,散熱革命成為AI、HPC時代最大挑戰(zhàn)。當(dāng)芯片表面溫度達(dá)到70-80℃時,溫度每增加1℃,芯片可靠性就會下降10%;設(shè)備故障超過55%與過熱直接相關(guān)。金剛石是已知熱導(dǎo)率最高的材料,熱導(dǎo)率達(dá)硅(Si)13倍、碳化硅(Sic)4倍,銅和銀4-5倍,并具有超寬禁帶半導(dǎo)體優(yōu)異特質(zhì),被視為“第四代半導(dǎo)體”或“半導(dǎo)體終極材料”。與SiC相比,鉆石芯片成本可便宜30%,所需材料面積僅為SiC芯片1/50,減少3倍能量損耗,并將芯片體積縮小4倍。

金剛石作為一種超寬禁帶半導(dǎo)體,基于優(yōu)異的導(dǎo)熱性、載流子遷移率、擊穿電場強(qiáng)度等關(guān)鍵特性,被視為半導(dǎo)體材料“六邊形戰(zhàn)士”及“終極半導(dǎo)體”。

相較于第三代半導(dǎo)體,單晶金剛石和多晶金剛石材料優(yōu)勢更為顯著。金剛石襯底能夠有效解決GaN功率器件面臨的散熱難題,從而在相同尺寸下,制造出具有更高功率密度的GaN基功率器件,顯著提升器件的性能和穩(wěn)定性。與硅(Si)相比,金剛石芯片可以使轉(zhuǎn)換器輕5倍,體積更小;與碳化硅(SiC)相比:成本可以便宜30%,所需的材料面積僅為SiC芯片的1/50,減少3倍的能量損耗,并將芯片體積縮小4倍,從而大幅降低能耗。在注重系統(tǒng)體積和重量時,通過提升開關(guān)頻率,金剛石器件能夠使無源元件的體積減少4倍,同時配合更小的散熱器。

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高算力時代“終極”方案,打開AI潛力的鑰匙

鉆石散熱方案在高效能電子產(chǎn)品應(yīng)用潛力廣闊,未來每臺電腦、汽車和手機(jī)都有望裝上鉆石。半導(dǎo)體領(lǐng)域,“鉆石冷卻”技術(shù)可讓GPU、CPU計算能力提升3倍,溫度降低60%,能耗降低40%,為數(shù)據(jù)中心節(jié)省數(shù)百萬美元的冷卻成本。新能源汽車領(lǐng)域,超薄鉆石納米膜助力電動汽車充電速度提升5倍,熱負(fù)荷降低10倍?;阢@石技術(shù)的逆變器體積小6倍,性能更卓越。太空衛(wèi)星領(lǐng)域,數(shù)據(jù)速率提升5-10倍,尺寸減小50%,并在嚴(yán)酷的太空環(huán)境中表現(xiàn)更穩(wěn)定。無人機(jī)領(lǐng)域,無人機(jī)僅需1分鐘就能充滿電,金剛石吸收產(chǎn)生高密度激光束,解決續(xù)航問題?;讵?dú)特物理特性,鉆石還在量子計算、核處理等方面打開應(yīng)用潛力。

產(chǎn)業(yè)化開啟“從0到1”階段,國內(nèi)培育鉆石產(chǎn)業(yè)鏈大放異彩

鉆石散熱產(chǎn)業(yè)鏈開啟“從0到1”臨界點(diǎn),全球各項應(yīng)用加速落地。美國Akash Systems公司獲得美國芯片法案支持,體現(xiàn)了對鉆石散熱前景的充分認(rèn)可;英偉達(dá)率先采用鉆石散熱GPU實驗,性能是普通芯片的三倍;華為接連公布鉆石散熱專利,堅定入局,未來有望在高性能計算、5G通信、人工智能等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。我們測算鉆石散熱市場規(guī)模有望由2025年0.5億美元(滲透率不足0.1%)增長至152億美元(滲透率約10%),復(fù)合增速214%,市場前景可觀。我國人造鉆石產(chǎn)業(yè)鏈具備絕對成本優(yōu)勢,人造金剛石產(chǎn)量占全球總產(chǎn)量的90%以上。國內(nèi)培育鉆石企業(yè)積極布局“鉆石散熱”技術(shù),并在半導(dǎo)體襯底、熱沉等方面取得突破。

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