鉆石：終極半導(dǎo)體與散熱革命，開啟AI與高科技新時代的鑰匙

鉆石：“終極”半導(dǎo)體材料，“六邊形戰(zhàn)士隨著半導(dǎo)體遵循著摩爾定律納米制程進步、TDP（熱設(shè)計功耗）上升，芯片熱流密度變得越來越高，散熱革命成為AI、HPC時代最大挑戰(zhàn)。當芯片表面溫度達到70-80℃時，溫度每增加1℃，芯片可靠性就會下降10%；設(shè)備故障超過55%與過熱直接相關(guān)。金剛石是已知熱導(dǎo)率最高的材料，熱導(dǎo)率達硅（Si 2024-12-13 37人閱讀 類別：行業(yè)新聞

華為：金剛石半導(dǎo)體散熱獲重要突破進展

隨著半導(dǎo)體芯片的系統(tǒng)集成向更高密度、更多功能、更大功率和智能化的方向發(fā)展，芯片內(nèi)部高性能高功率處理區(qū)域中單位面積的發(fā)熱量也不斷增加。通常，將芯片內(nèi)的高性能高功率處理區(qū)域稱為熱點區(qū)域。熱點區(qū)域作為芯片內(nèi)的主要熱源，若熱點區(qū)域的溫度較高，會導(dǎo)致芯片總體性能較差。金剛石以其低介電常數(shù)、高導(dǎo)熱率以及良好的機 2024-12-13 23人閱讀 類別：行業(yè)新聞

“終極半導(dǎo)體材料：未來科技發(fā)展的加速器

近年來，在半導(dǎo)體行業(yè)中，金剛石逐漸成為了關(guān)注熱點。為了實現(xiàn)綠色低碳的目標，過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)正在不斷追求更高效、更強大的半導(dǎo)體器件。傳統(tǒng)硅材料雖然被廣泛使用，但在效率方面正日益逼近其極限，尤其是在高溫和高壓條件下。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)與發(fā)展，讓行業(yè)突破了硅的限制，開發(fā)出 2024-11-29 23人閱讀 類別：行業(yè)新聞

金剛石材料：高效散熱的新選擇

在電子產(chǎn)品日益追求高性能、輕薄化的今天，終端產(chǎn)品對性能要求的不斷提升，發(fā)熱量和散熱表現(xiàn)已經(jīng)成為半導(dǎo)體設(shè)計中不可忽視的重要因素。在這一背景下，金剛石材料憑借其卓越的熱導(dǎo)率和物理特性，成為了散熱領(lǐng)域的新寵。傳統(tǒng)散熱材料的局限性傳統(tǒng)的散熱材料，如石墨片、石墨烯等，雖然在一定程度上能夠滿足散熱需求，但隨著電 2024-11-15 28人閱讀 類別：行業(yè)新聞

美國加速推進金剛石半導(dǎo)體研發(fā)以應(yīng)對全球競爭

近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，尤其是圍繞寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新，已經(jīng)成為各國科技戰(zhàn)略的關(guān)鍵焦點。此前我國對關(guān)鍵材料進行出口管制讓很多國家開始調(diào)整戰(zhàn)略。據(jù)Tom's hardware報道，由于中國在寬帶隙半導(dǎo)體材料—氮化鎵（GaN）供應(yīng)方面的優(yōu)勢地位，近期又采取了出口管制措施，美國國防部高級研究計劃 2024-11-08 30人閱讀 類別：行業(yè)新聞

探索半導(dǎo)體新紀元：大尺寸單晶金剛石襯底技術(shù)的革新之路

單晶金剛石，憑借其卓越的物理特性——超寬的禁帶寬度、低介電常數(shù)、高擊穿電壓、杰出的熱導(dǎo)率、優(yōu)異的本征電子和空穴遷移率，以及無與倫比的抗輻射性能，被譽為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的“終極之選”。然而，盡管潛力巨大，單晶金剛石在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模應(yīng)用之路仍布滿荊棘，尤其是大尺寸（英寸級）單晶金剛石襯底的制備技術(shù)，成 2024-11-05 111人閱讀 類別：行業(yè)新聞